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SiCILIA-Silicon Carbide Detectors for Intense Luminosity Investigations and Applications

  Articoli su Riviste JCR/ISI  (anno 2018)

Autori:  Tudisco S., La Via F., Agodi C., Altana C., Borghi G., Boscardin M., Bussolino G., Calcagno L., Camarda M., Cappuzzello F., Carbone D., Cascino S., Casini G., Cavallaro M., Ciampi C., Cirrone G., Cuttone G., Fazzi A., Giove D., Gorini G., Labate L., Lanzalone G., Litrico G., Longo G., Lo Presti D., Mauceri M., Modica R., Moschetti M., Muoio A., Musumeci F., Pasquali G., Petringa G., Piluso N., Poggi G., Privitera S., Puglia S., Puglisi V., Rebai M., Ronchin S., Santangelo A., Stefanini A., Trifiro A., Zimbone M

Affiliazione Autori:  CNR, INO, Via G Moruzzi 1, I-56124 Pisa, Italy.

Riassunto:  Silicon carbide (SiC) is a compound semiconductor, which is considered as a possible alternative to silicon for particles and photons detection. Its characteristics make it very promising for the next generation of nuclear and particle physics experiments at high beam luminosity. Silicon Carbide detectors for Intense Luminosity Investigations and Applications (SiCILIA) is a project starting as a collaboration between the Italian National Institute of Nuclear Physics (INFN) and IMM-CNR, aiming at the realization of innovative detection systems based on SiC. In this paper, we discuss the main features of silicon carbide as a material and its potential application in the field of particles and photons detectors, the project structure and the strategies used for the prototype realization, and the first results concerning prototype production and their performance.

Rivista/Giornale:  SENSORS
Volume n.:  18      Pagine da: 2289  a: 2289
DOI: 10.3390/s18072289

   *Citazioni: 1
data tratti da "WEB OF SCIENCE" (marchio registrato di Thomson Reuters) ed aggiornati a:  12/05/2019

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