INO
CNR
vai_a_storia   vai_a_organizzazione   vai_a_sedi   vai_a_personale   Area Riservata
    English English Version  
 
 

Very large spot size effect in nanosecond laser drilling efficiency of silicon

  Articoli su Riviste JCR/ISI  (anno 2010)

Autori:  Brandi F., Burdet N., Carzino R., Diaspro A

Affiliazione Autori:  Nanophysics Group, Italian Institute of Technology, Via Morego 30, Genova, Italy

Riassunto:  The effect of the spot diameter in nanosecond excimer laser percussiondrilling of through via in silicon wafer is presented. Experimental resultsshow a ten fold increase of the ablation efficiency when decreasing the spot diameter from 220 µm to 9 µm at constant fluence in the range 7.5 J/cm2 to 13.2 J/cm2. Such effect is absent when using 60 ps deep-UV laser pulses. A model is developed that explain the findings in terms of plume shielding effect on the laser pulse. The model is successfully applied also on previously published data on deep-UV laser drilling of Polyimide and Alumina.

Rivista/Giornale:  OPTICS EXPRESS
Volume n.:  18 (22)      Pagine da: 23488  a: 23494
DOI: 10.1364/OE.18.023488

*Impact Factor della Rivista: (2010) 3.753   *Citazioni: 23
data tratti da "WEB OF SCIENCE" (marchio registrato di Thomson Reuters) ed aggiornati a:  19/05/2019

Riferimenti visionabili in IsiWeb of Knowledge: (solo per sottoscrittori)
Per visualizzare la scheda dell'articolo su IsiWeb: Clicca qui
Per visualizzare la scheda delle Citazioni dell'articolo su IsiWeb: Clicca qui

INO © Istituto Nazionale di Ottica - Largo Fermi 6, 50125 Firenze | Tel. 05523081 Fax 0552337755 - P.IVA 02118311006     P.E.C.    Info